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本发明提供一种半导体器件的超结结构及其制作方法。所述超结结构包括N型衬底、依序形成于N型衬底上的第一P型外延、第一N型外延、第二P型外延及第二N型外延、贯穿所述第二N型外延、所述第二P型外延、所述第一N型外延及所述第一P型外延的沟槽、在所述...
该专利属于深圳市晶特智造科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳市晶特智造科技有限公司授权不得商用。

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