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本发明涉及显示器制造领域，TFT基板的制作方法。通过分区曝光的工艺，在氧化物半导体层上先后对应栅极形成半导体区，对应源极、漏极和像素电极的区域形成导体区，其余部分去除后对应绝缘区的位置。相比于现有技术的制造方法，将需要四道光刻工序成型的TF...
该专利属于深圳市华星光电技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳市华星光电技术有限公司授权不得商用。

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