TFT基板的制作方法技术

本发明专利技术涉及显示器制造领域，TFT基板的制作方法。通过分区曝光的工艺，在氧化物半导体层上先后对应栅极形成半导体区，对应源极、漏极和像素电极的区域形成导体区，其余部分去除后对应绝缘区的位置。相比于现有技术的制造方法，将需要四道光刻工序成型的TFT基板，压缩到三道光刻工序内成型，省去了一道光刻工序流程，简化工艺，提高了生产效率。

【技术实现步骤摘要】
TFT基板的制作方法
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种TFT基板的制作。
技术介绍
有机电致发光显示器件(OrganicLightEmittingDisplay，OLED)由于同时具备自发光，不需背光源、对比度高、厚度薄、视角广、反应速度快、可用于挠曲性面板、使用温度范围广、构造及制程较简单等优异特性，被认为是下一代平面显示器的新兴应用技术。在OLED大尺寸面板生产中，氧化物半导体由于具有较高的电子迁移率，而且相比低温多晶硅(LTPS)，氧化物半导体制程简单，与非晶硅制程相容性较高，且与高世代生产线兼容而得到了广泛的应用。目前，氧化物半导体薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，TFT)基板的常用结构为具有蚀刻阻挡层(ESL)的结构，但该结构本身存在一定的问题，主要表现在需要的光罩及光刻制程较多，增加了制程时间和工艺复杂性。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种减少光罩数量、缩短工序流程的TFT基板的制作方法，提供如下技术方案：提供基板；在所述基板的一侧沉积氧化物半导体层；形成覆盖所述氧化物半导体层的光阻层；分区曝光将所述光阻层图案化，以露出所述氧化物半导体层相对本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种TFT基板的制作方法，其特征在于，所述TFT基板的制作方法包括：提供基板；在所述基板的一侧沉积氧化物半导体层；形成覆盖所述氧化物半导体层的光阻层；分区曝光将所述光阻层图案化，以露出所述氧化物半导体层相对的两部分；将所述氧化物半导体层相对的两部分进行导体化，其中一部分形成源极，另一部分形成漏极及与漏极电连接的像素电极；去除图案化后剩余的所述光阻层，被图案化后剩余的所述光阻层覆盖的所述氧化物半导体层形成沟道区。

【技术特征摘要】
1.一种TFT基板的制作方法，其特征在于，所述TFT基板的制作方法包括：提供基板；在所述基板的一侧沉积氧化物半导体层；形成覆盖所述氧化物半导体层的光阻层；分区曝光将所述光阻层图案化，以露出所述氧化物半导体层相对的两部分；将所述氧化物半导体层相对的两部分进行导体化，其中一部分形成源极，另一部分形成漏极及与漏极电连接的像素电极；去除图案化后剩余的所述光阻层，被图案化后剩余的所述光阻层覆盖的所述氧化物半导体层形成沟道区。2.如权利要求1所述TFT基板的制作方法，其特征在于，所述氧化物半导体层沉积在所述基板上，在形成所述沟道区后，还包括以下步骤：沉积绝缘层；图案化所述绝缘层，以在所述绝缘层上形成两个连接孔，使其贯穿所述绝缘层以露出所述源极和所述漏极；沉积金属层；图案化所述金属层，以形成栅极、栅极线、源极线和漏极线，所述栅极和所述栅极线电连接，所述栅极对应所述沟道区设置，所述源极线通过所述连接孔连接所述源极，所述漏极线通过另一个所述连接孔连接所述漏极，所述源极线与所述栅极及所述栅极线间隔设置，所述漏极线与所述栅极及所述栅极线间隔设置。3.如权利要求2所述TFT基板的制作方法，其特征在于，在所述基板上沉积所述氧化物半导体层之前，还包括以下步骤：在所述基板上沉...

【专利技术属性】
技术研发人员：韦显旺，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44