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本发明实施例提供了一种非易失存储器单元及其制备方法，该非易失存储器单元包括衬底，位于衬底上的栅极、以及覆盖栅极的功能层，该功能层设置有依次叠置的氧离子蓄积层、氧离子控制层、以及氧化物半导体层，存储器单元的源极和漏极氧离子控制层上，且氧化物半...
该专利属于南方科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过南方科技大学授权不得商用。

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