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电容器阵列结构及其制造方法技术
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文档序号:17707948
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本发明提供一种电容器阵列结构及其制造方法,包括:1)提供一半导体衬底;2)于半导体衬底的上表面形成交替叠置的牺牲层及支撑层;3)于所述交替叠置的牺牲层及支撑层的上表面形成图形化掩膜层,图形化掩膜层具有多个开孔;4)在支撑层及牺牲层内形成电容...
该专利属于睿力集成电路有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过睿力集成电路有限公司授权不得商用。
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