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本发明涉及一种基于纳米银焊膏双面互连碳化硅MOS器件的模块及封装方法；由功率端子、上DBC基板、下DBC基板、纳米银焊膏、缓冲层、n对碳化硅FRED芯片和碳化硅MOS芯片、栅极电阻、粗铝丝、硅凝胶和模制树脂组成；分别将碳化硅MOS芯片下表面...
该专利属于天津大学所有，仅供学习研究参考，未经过天津大学授权不得商用。

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