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本发明涉及一种制备钴基氧化物超薄纳米片的方法，属于纳米材料制备技术领域。本方法在低温液相搅拌条件下即可制得有机前驱体，再通过严格控制煅烧温度、煅烧时间煅烧气氛，即可制得钴基氧化物超薄纳米片，惰性气氛中煅烧可得到氧化亚钴纳米片。同时将本方法中...
该专利属于中国科学院大学所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院大学授权不得商用。

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