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本实用新型公开了一种化学腐蚀剥离衬底的微尺寸谐振腔LED芯片。本实用新型的LED芯片为倒装薄膜结构，外延薄膜仅包含p‑GaN层、量子阱层和n‑GaN层，在p‑GaN层下面是高反射率的金属反射电极，在n‑GaN层上面是介质分布布拉格反射镜，金...
该专利属于华南理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过华南理工大学授权不得商用。

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