温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本实用新型公开了一种氧化物薄膜晶体管纯铜复合结构源漏电极。所述的氧化物薄膜晶体管纯铜复合结构源漏电极包括依次沉积在有源层上的刻蚀缓冲层、黏附阻挡层和纯Cu电极层；所述刻蚀缓冲层为碳膜，所述黏附阻挡层为钛膜，所述纯Cu电极层为纯Cu薄膜。本实...
该专利属于华南理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过华南理工大学授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。