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本发明提供了一种改善金属电容TDDB性能的方法，所述方法包括：对所述上电极进行蚀刻并清洗，暴露出部分介质层；进行合金化工艺，修复暴露出的部分介质层；形成一氮氧化硅层，所述氮氧化硅层覆盖所述上电极和所述暴露出的部分介质层；进行光刻；对所述下电...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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