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本发明公开一种半导体静电放电保护元件，包含有一基底、一设置于该基底内的第一隔离结构、一设置于该基底上且覆盖部分该第一隔离结构的栅极、一设置于该栅极的一第一侧的该基底内的源极区域、以及一设置于该栅极的一第二侧的该基底内的漏极区域，且该第一侧与...
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