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本发明涉及在垂直晶体管替代栅极流程中控制自对准栅极长度，其中，一种半导体结构包括半导体衬底，位于半导体衬底上方的第一垂直晶体管的底部源/漏层，位于该源/漏层上方的垂直沟道，以及包覆该垂直沟道的金属栅极，该垂直沟道在与该金属栅极之间的接口处相...
该专利属于格芯公司所有，仅供学习研究参考，未经过格芯公司授权不得商用。

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