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本申请涉及用于高纵横比的基本垂直的深硅沟槽的硅外延。本申请公开了一种形成半导体器件的方法(600C)，其包括：在掺杂有具有第一导电类型的第一掺杂剂的半导体区域中蚀刻(605)高纵横比的基本垂直的沟槽，并且在高纵横比的基本垂直的沟槽的内表面上...
该专利属于德克萨斯仪器股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过德克萨斯仪器股份有限公司授权不得商用。

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