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非易失性半导体存储装置制造方法及图纸
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文档序号:17657300
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本发明提供一种非易失性半导体存储装置。存储器阵列(10)除了分别包含单元晶体管(TC)和与该单元晶体管(TC)的一端连接的变阻元件(RR)的多个存储器单元(11)呈矩阵状配置之外,还具备具有MOS晶体管(MTC)的单元晶体管能力测定单元(1...
该专利属于松下知识产权经营株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过松下知识产权经营株式会社授权不得商用。
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