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本实用新型公开了一种功率半导体器件，包括元胞区和终端保护区，元胞区包括第一导电类型硅衬底第一导电类型外延层，第一导电类型外延层上形成有U型沟槽，其中，功率半导体器件还包括：填充在所述U型沟槽内的第一类绝缘介质体和第一类导电体，第一类绝缘介质...
该专利属于无锡新洁能股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过无锡新洁能股份有限公司授权不得商用。

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