下载形成用于减少泄漏的栅极结构的方法的技术资料

文档序号:17604121

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本发明提供了包括晶体管的集成电路。晶体管可以包括在相关联的阱区上形成的栅极结构。所述阱区可以被有源偏置并且可以用作基极端子。一个晶体管的阱区可以形成为与相邻晶体管的栅极结构邻近。如果相邻晶体管的栅极结构和一个晶体管的阱区都是有源偏置的并且被...
该专利属于阿尔特拉公司所有,仅供学习研究参考,未经过阿尔特拉公司授权不得商用。

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