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本发明提供一种3D NAND存储器件制造方法，通过在衬底上的堆叠层中形成沟道孔的阵列，去除沟道孔两侧的部分堆叠层以及沟道孔内的部分电荷捕获层，形成隔离沟槽，在隔离沟槽中填充绝缘材料，形成隔离层。隔离层将堆叠层及沟道孔内的电荷捕获层分隔开，使...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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