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本发明属于半导体功率器件技术领域，具体涉及到一种平面MOS器件及其制造方法，本发明将普通平面MOS位于JEFT区域上部的栅极通过刻蚀的方式去掉并填充绝缘介质，利用此方式有效降低JEFT电阻和Qgd，本发明制造工艺简单，其工艺方法能够完全与普...
该专利属于西安华羿微电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过西安华羿微电子股份有限公司授权不得商用。

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