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一种半导体器件，包括在外延层中形成的沟槽以及内衬于所述沟槽的侧壁的氧化物层。所述氧化物层的厚度是不均匀的，使得所述氧化物层朝向所述沟槽的顶部的厚度比其朝向所述沟槽的底部的厚度薄。所述外延层可以具有不均匀的掺杂浓度，其中所述掺杂浓度根据所述氧...
该专利属于维西埃-硅化物公司所有，仅供学习研究参考，未经过维西埃-硅化物公司授权不得商用。

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