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公开了一种用于在单晶硅上生长外延3C‑SiC的方法。该方法包括在冷壁化学气相沉积反应器(7)中提供单晶硅基板(2)，将基板加热到大于或等于700℃且小于或等于1200℃的温度，当基板处于所述温度时，将气体混合物(41)引入反应器中，所述气体...
该专利属于华威大学所有，仅供学习研究参考，未经过华威大学授权不得商用。

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