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本发明涉及一种低栅源电容的UMOS器件结构及制备方法，该结构包括：N型衬底；设置于所述N型衬底表面的N型外延层；设置于所述N型外延层表面的P型体区；设置于所述P型体区表面的N+型源区；贯穿所述N+型源区和P型体区且位于N型外延层内的沟槽；生...
该专利属于中电科技集团重庆声光电有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中电科技集团重庆声光电有限公司授权不得商用。

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