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公开了对MOS晶体管的衬底区域进行偏置。集成电子器件具有绝缘体上硅类型的衬底或者至少一个晶体管(TR)，该至少一个晶体管被形成在该衬底的半导体膜(1)中和该半导体膜上并且具有：第一导电类型的漏极区域(D)和源极区域(S)；第二导电类型的位于...
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