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本发明公开一种动态随机存取存储器元件，包含基底、多个埋藏式栅极与多个位线。埋藏式栅极是设置在基底的第一沟槽内并沿着第一方向延伸。位线则是设置在埋藏式栅极上且沿着第二方向延伸，而第二方向则是横跨第一方向。各个位线包含一阻障层，而其具有一复合层...该专利属于联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司授权不得商用。