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在硅基材上形成III‑V族半导体层的方法中，在第一温度下加热基材时，提供包括V族元素的第一来源气体至硅基材的表面，借以将硅表面端接V族元素。然后，在第二温度下加热基材时，提供包括III族元素的第二来源气体至硅基材的表面，借以直接形成成核层在...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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