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本发明涉及用于蚀刻金属的连续RF等离子体和脉冲RF等离子体。提供了用于使用含氮蚀刻物气体来蚀刻钨和其它金属或含金属膜的方法。该方法包括将膜暴露于连续波(CW)等离子体，并且在蚀刻操作即将结束时切换到脉冲等离子体。脉冲等离子体具有较低的氮自由...
该专利属于朗姆研究公司所有，仅供学习研究参考，未经过朗姆研究公司授权不得商用。

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