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本发明公开了一种提高氮化镓器件电子迁移率及外延层质量方法，属于氮化镓器件领域。一种提高氮化镓器件电子迁移率及外延层质量方法，其操作步骤如下:S1、先于Si基板上成长AlN缓冲层；S2、在AlN缓冲层成长完毕后，在其上方成长第一对超晶格结构,...
该专利属于叶顺闵;谢明达所有，仅供学习研究参考，未经过叶顺闵;谢明达授权不得商用。

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