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本发明公开了一种基准电流产生电路中的内部电源产生电路，包括由第一和二条件路径形成的正温度系数电流产生电路和第一和二电流源，第一PMOS管，第一和二NMOS管；第一PMOS管的栅极连接正温度系数电流产生电路提供的具有正温度系数的参考电压，第一...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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