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本发明涉及一种集成沟槽式电容器，其中具体公开了一种深沟槽式电容器(100)以及用于在半导体工艺中提供深沟槽式电容器(100)的方法(400A)。该方法包括在半导体晶片的第一区域(106、108)中形成(405)多个深沟槽(111)，第一区域...
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