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实施例涉及一种紫外光发光二极管、制造紫外光发光二极管的方法、发光二极管封装以及照明装置。根据实施例的紫外光发光二极管包括：衬底；第一未掺杂GaN层，在衬底上，包括平坦上表面和V凹进；第一氮化物层，在第一未掺杂GaN层的V凹进上；第一未掺杂A...
该专利属于LG伊诺特有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过LG伊诺特有限公司授权不得商用。

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