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本说明书中公开的主题涉及碳化硅(SiC)功率装置，并且更确切地说，涉及SiC超结(SJ)功率装置的有源区设计。SiC‑SJ装置包括具有一个或多个电荷平衡(CB)层有源区。每个CB层包括具有第一导电型的半导体层和设置在所述半导体层表面中具有第...
该专利属于通用电气公司所有，仅供学习研究参考，未经过通用电气公司授权不得商用。

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