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本发明涉及双侧折叠栅控源漏双隧穿型双向导通晶体管及其制造方法，本发明所述器件具有能够使晶体管源漏两侧同时发生隧穿效应的双侧折叠栅和能够实现源漏互换双向导通的左右对称的结构特征，双侧折叠栅对单晶硅薄膜两侧垂直部分形成三面包裹，因此具有较强的栅...
该专利属于沈阳工业大学所有，仅供学习研究参考，未经过沈阳工业大学授权不得商用。

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