下载半导体装置的制造方法的技术资料

文档序号:17487859

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本发明提供一种更高效地以树脂密封半导体芯片积层体的半导体装置的制造方法。所述半导体装置的制造方法是在具有第1凸块电极的第1半导体芯片的第1面上,使具有第2凸块电极及第1贯通电极的第2半导体芯片以所述第1凸块电极与所述第1贯通电极重叠的方式积...
该专利属于东芝存储器株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过东芝存储器株式会社授权不得商用。

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