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本发明提供区分半导体光致逆自旋霍尔效应本征与非本征机制的方法。该方法通过测量半导体二维电子气在不同温度下的光致逆自旋霍尔效应电流，并通过模型拟合得到半导体二维电子气中电子受到的自旋横向力随温度的变化趋势，若其随温度的增加而增加，则属于非本征...
该专利属于福州大学所有，仅供学习研究参考，未经过福州大学授权不得商用。

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