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本发明涉及一种双导电类型分立双矩形栅控源漏阻变晶体管及其制造方法，所述晶体管具有可实现P型导电类型与N型导电类型可自由切换功能和双向开关功能。具有低静态功耗、低反向泄漏电流、较强栅极控制能力和低亚阈值摆幅的优点。具有双矩形栅分立控制结构特征...
该专利属于沈阳工业大学所有，仅供学习研究参考，未经过沈阳工业大学授权不得商用。

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