温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种屏蔽栅沟槽功率MOSTET器件，单元区的栅极结构包括：多个第一深沟槽，在第一深沟槽中形成有底部介质层、源极多晶硅栅、栅介质层、多晶硅栅和多晶硅间介质层；和所有第一深沟槽相连通的第二深沟槽，两深沟槽的工艺条件相同，在第二深沟槽...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。