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本发明涉及一种垂直FinFET器件及制备方法、电子装置。所述垂直FinFET器件包括：半导体衬底；柱形鳍片，位于所述半导体衬底上；金属栅极，环绕设置于目标高度的所述柱形鳍片的侧壁上；其中，所述金属栅极包括栅极介电层，在所述柱形鳍片的侧壁上所...该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司授权不得商用。