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本发明公开了一种短沟道半导体功率器件，其包括：具有重掺杂层的碳化硅晶元，其上生长有轻掺杂的外延层；设在外延层中并被外延层的一部分间隔开的第一基区和第二基区；掩模层，其设在用以将第一基区和第二基区间隔开的外延层的部分之上；二氧化硅层，其设置在...
该专利属于株洲中车时代电气股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过株洲中车时代电气股份有限公司授权不得商用。

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