温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提出一种具有渐变深槽的屏蔽栅MOS结构，其特征在于，所述沟槽的形状为倒梯形，且分为上下两部分，上部分包括倒梯形栅极导电多晶硅和位于倒梯形栅极导电多晶硅两侧的栅氧化层，下部分包括厚氧化层及厚氧化层包裹的倒梯形屏蔽栅；本发明提出的屏蔽栅M...
该专利属于苏州凤凰芯电子科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州凤凰芯电子科技有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。