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本发明公开了一种沟槽型超级结，包括：多个沟槽，各沟槽中填充有第二导电类型的第一外延层，第一外延层将体积最小的沟槽趋于完全填满，在第一外延层未完全填充的沟槽中还填充有第二介质层，第二介质层叠加于第一外延层的表面并将各沟槽完全填满。第二介质层的...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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