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一种静电放电保护结构及其形成方法，静电放电保护结构包括：衬底，所述衬底包括第一区域、第二区域以及第三区域，所述第二区域衬底上具有若干鳍部；位于第二区域衬底上且横跨若干鳍部的栅极结构；位于第一区域衬底内的第一凹槽；填充满第一凹槽的第一掺杂外延...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。