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本公开提供了一种黑硅制备工艺，包括：在一衬底上形成聚合物层；去除聚合物层，并利用去除聚合物层过程中的产物在聚合物层的初始位置上形成纳米森林结构；以及在纳米森林结构上沉积硅薄膜材料层，完成黑硅制备。本公开还提供了一种采用上述黑硅制备工艺制备的...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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