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本发明公开了一种直拉法制备单晶硅的加工工艺，包括以下步骤：缩颈生长：当硅熔体的温度稳定到一定温度后，将籽晶浸入硅熔体中，将籽晶以一定的拉速进行提升，使籽晶的直径缩小到3‑7mm；放肩生长：完成缩颈生长后，降低坩埚温度与拉速，调整坩埚转速和晶...
该专利属于江苏永佳电子材料有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江苏永佳电子材料有限公司授权不得商用。

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