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本发明涉及一种集成有结型场效应晶体管的器件及其制造方法，所述器件的JFET区包括：JFET源极，为第一导电类型；JFET源极的金属电极，形成于所述JFET源极上与所述JFET源极接触；复合阱区结构，为第二导电类型且设于第一导电类型区内，包括...
该专利属于无锡华润上华科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过无锡华润上华科技有限公司授权不得商用。

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