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本实用新型涉及一种超低残压低容瞬态电压抑制器，通过各个器件之间的深槽隔离，以及衬底隔离来完全屏蔽各个器件之间所有可能的寄生管的触发和干扰；再次，把所有三个低容导向管和TVS通流管都按横向结构排列，又在各个器件底部通过高能注入防止穿通；第三，...
该专利属于上海领矽半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海领矽半导体有限公司授权不得商用。

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