温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供具有跨域静电放电(ESD)保护的半导体装置和相关制造方法。示例性半导体装置包括第一域电路、第二域电路，以及耦合在所述第一域驱动器电路的输出节点与所述第二域接收器电路的输出节点之间的接口。所述接收器电路包括具有耦合到所述接口的栅极电...
该专利属于恩智浦有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过恩智浦有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。