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在一个公共芯片上的MOSFET和静电放电(ESD)保护器件，包括一个带有源极、栅极和漏极的MOSFET，以及一个ESD保护器件，用于实现二极管功能，偏置后防止电流通过公共芯片从源极流至漏极。...
该专利属于万国半导体（开曼）股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过万国半导体（开曼）股份有限公司授权不得商用。

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