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本发明提供一种免曝光显影的刻蚀遮蔽层的制备方法，用于在半导体工艺中制备刻蚀遮蔽层，其中，所述制备方法是在一待刻蚀层上静电喷射掩蔽材料以形成所述刻蚀遮蔽层。本发明所述的免曝光显影的刻蚀遮蔽层的制备方法及制备系统，利用高压静电喷涂技术在待刻蚀层...
该专利属于深圳市华星光电技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳市华星光电技术有限公司授权不得商用。

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