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本发明涉及一种磷化铟包覆硫化铟的核壳结构半导体纳米片材料及其制备方法，其中采用简单的一步水热法先在导电玻璃基片上合成出纳米片状的硫化铟，然后利用磷化的方法在纳米片状的硫化铟表面形成磷化铟包覆层，所述制备方法简单、新颖、可控性强。合成的磷化铟...
该专利属于首都师范大学所有，仅供学习研究参考，未经过首都师范大学授权不得商用。

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