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本发明涉及一种高致密度TiB2陶瓷靶材的制备方法，包括以下步骤：步骤一，将TiB2原料粉烘干过筛，得到粒度分布均匀的、无结块的TiB2粉末；步骤二，将TiB2粉末均匀地填充到模具中，在真空条件下进行热压烧结，然后冷却、脱模，得到高致密度Ti...该专利属于北京安泰六九新材料科技有限公司;安泰科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京安泰六九新材料科技有限公司;安泰科技股份有限公司授权不得商用。