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一种半导体结构具有直接接触的Ⅲ‑N族缓冲层(16)和Ⅲ‑N族阻挡层(18)，以在Ⅲ‑Ⅴ族缓冲层与所述Ⅲ‑N族阻挡层之间形成结(20)，从而产生二维电子气(2DEG)沟道，Ⅲ‑N族阻挡层具有变化的掺杂剂浓度。Ⅲ‑N族阻挡层的最接近于结的下部区...
该专利属于雷声公司所有，仅供学习研究参考，未经过雷声公司授权不得商用。

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